Influence of capping layer thickness on electronic states in self assembled MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F09%3A00152023" target="_blank" >RIV/68407700:21230/09:00152023 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68378271:_____/09:00330532

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Influence of capping layer thickness on electronic states in self assembled MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs

Popis výsledku v původním jazyce

The paper investigates the influence of capping layer thickness on electronic states in self assembled MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs. The structures were investigated by means of atomic force microscopy and photoluminescence spectroscopy.

Název v anglickém jazyce

Influence of capping layer thickness on electronic states in self assembled MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs

Popis výsledku anglicky

The paper investigates the influence of capping layer thickness on electronic states in self assembled MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs. The structures were investigated by means of atomic force microscopy and photoluminescence spectroscopy.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Superlattices and Microstructures

ISSN

0749-6036

e-ISSN

—

Svazek periodika

46

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000267444900056

EID výsledku v databázi Scopus

—