Engineering of MOVPE grown InAs/GaAs Quantum Dot Structures

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F09%3A00155777" target="_blank" >RIV/68407700:21230/09:00155777 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Engineering of MOVPE grown InAs/GaAs Quantum Dot Structures

Popis výsledku v původním jazyce

The paper deals with engineering of MOVPE grown InAs/GaAs quantum dot structures especially by means of use of the thin InGaAs strain reducing layer.

Název v anglickém jazyce

Engineering of MOVPE grown InAs/GaAs Quantum Dot Structures

Popis výsledku anglicky

The paper deals with engineering of MOVPE grown InAs/GaAs quantum dot structures especially by means of use of the thin InGaAs strain reducing layer.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA202%2F06%2F0718" target="_blank" >GA202/06/0718: Inženýrství kvantových teček</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Workshop 09

ISBN

978-80-01-04286-1

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

—

Název nakladatele

ČVUT

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Praha

Datum konání akce

16. 2. 2009

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—