InAs/GaAs quantum dot structures emitting in the 1.55 ?m band

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F09%3A00159172" target="_blank" >RIV/68407700:21230/09:00159172 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68378271:_____/09:00337368

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

InAs/GaAs quantum dot structures emitting in the 1.55 ?m band

Popis výsledku v původním jazyce

The paper deals with inversigationof InAs quantum dot structures embedded into GaAs for development of semiconductor oprical sources emitting in the 1.55 ?m band. Special attention is paid to the use of the strain deducing layer.

Název v anglickém jazyce

InAs/GaAs quantum dot structures emitting in the 1.55 ?m band

Popis výsledku anglicky

The paper deals with inversigationof InAs quantum dot structures embedded into GaAs for development of semiconductor oprical sources emitting in the 1.55 ?m band. Special attention is paid to the use of the strain deducing layer.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

IOP Conference Series: Materials Science and Engineering

ISSN

1757-8981

e-ISSN

—

Svazek periodika

6

Číslo periodika v rámci svazku

6

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—