High-Temperature Strain-Gauges Based on Nanocrystalline Diamond Layers

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F09%3A00159502" target="_blank" >RIV/68407700:21230/09:00159502 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

High-Temperature Strain-Gauges Based on Nanocrystalline Diamond Layers

Popis výsledku v původním jazyce

Strain gauges are broadly used in sensors that detect and measure force and force-related quantities, such as deflection, torque, acceleration, pressure, and vibration. The piezoresistor is a basic building block for strain sensors that often use multiple strain gauges (piezoresistors) in their construction. A strain gauge is usually exposed to a small mechanical deformation which results in a small change in gauge resistance proportional to the applied strain (force, or other strain related quantity).Nanocrystalline Diamond (NCD) is a very promising material for fabrication of high-temperature devices because of its unique mechanical and electrical properties.

Název v anglickém jazyce

High-Temperature Strain-Gauges Based on Nanocrystalline Diamond Layers

Popis výsledku anglicky

Strain gauges are broadly used in sensors that detect and measure force and force-related quantities, such as deflection, torque, acceleration, pressure, and vibration. The piezoresistor is a basic building block for strain sensors that often use multiple strain gauges (piezoresistors) in their construction. A strain gauge is usually exposed to a small mechanical deformation which results in a small change in gauge resistance proportional to the applied strain (force, or other strain related quantity).Nanocrystalline Diamond (NCD) is a very promising material for fabrication of high-temperature devices because of its unique mechanical and electrical properties.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JB - Senzory, čidla, měření a regulace

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F09%2F1601" target="_blank" >GA102/09/1601: Inteligentní mikro a nano struktury pro mikrosenzory realizované s využitím nanotechnologií</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Electronic Devices and Systems, IMAPS CS International Conference 2009 Proceedings

ISBN

978-80-214-3933-7

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Název nakladatele

VUT v Brně, FEI

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

2. 9. 2009

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—