InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F10%3A00167386" target="_blank" >RIV/68407700:21230/10:00167386 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68378271:_____/10:00342440 RIV/00216224:14310/10:00048777
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots
Popis výsledku v původním jazyce
The paper investigates the influence of InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering on optical properties of InAs/GaAs quantum dots.
Název v anglickém jazyce
InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots
Popis výsledku anglicky
The paper investigates the influence of InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering on optical properties of InAs/GaAs quantum dots.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Crystal Growth
ISSN
0022-0248
e-ISSN
—
Svazek periodika
312
Číslo periodika v rámci svazku
8
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000277039100069
EID výsledku v databázi Scopus
—