Future Trends in High Power Devices

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F10%3A00168360" target="_blank" >RIV/68407700:21230/10:00168360 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Future Trends in High Power Devices

Popis výsledku v původním jazyce

Future Trends in High Power Devices are discussed. Future materials for power devices, PCTs, IGCTs, IGBTs, diodes and their technologies are discussed.

Název v anglickém jazyce

Future Trends in High Power Devices

Popis výsledku anglicky

Future Trends in High Power Devices are discussed. Future materials for power devices, PCTs, IGCTs, IGBTs, diodes and their technologies are discussed.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/LC06041" target="_blank" >LC06041: Příprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings Miel 2010

ISBN

978-1-4244-7198-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Název nakladatele

IEEE Electron Devices Society

Místo vydání

Niš

Místo konání akce

Niš

Datum konání akce

16. 5. 2010

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—