Power Semiconductors - State of the Art And Future Trends

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F11%3A00181232" target="_blank" >RIV/68407700:21230/11:00181232 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://www.pcoglobal.com/vol2.htm" target="_blank" >http://www.pcoglobal.com/vol2.htm</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Power Semiconductors - State of the Art And Future Trends

Popis výsledku v původním jazyce

This paper reviews the state of power semiconductor devices and elaborates on their potentials in terms of higher voltages, higher power density, and better switching performance.

Název v anglickém jazyce

Power Semiconductors - State of the Art And Future Trends

Popis výsledku anglicky

This paper reviews the state of power semiconductor devices and elaborates on their potentials in terms of higher voltages, higher power density, and better switching performance.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Global Journal of Technology and Optimisation

ISSN

2229-8711

e-ISSN

—

Svazek periodika

2

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

MY - Malajsie

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

29-36

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—