Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Metamaterial-inspired Perfect Tunnelling in Semiconductor Heterostructures

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F11%3A00181870" target="_blank" >RIV/68407700:21230/11:00181870 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://iopscience.iop.org/1367-2630/13/8/083011/" target="_blank" >http://iopscience.iop.org/1367-2630/13/8/083011/</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/13/8/083011" target="_blank" >10.1088/1367-2630/13/8/083011</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Metamaterial-inspired Perfect Tunnelling in Semiconductor Heterostructures

  • Popis výsledku v původním jazyce

    In this paper, we use a formal analogy of the electromagnetic wave equation and the Schrödinger equation in order to study the phenomenon of perfect tunnelling (tunnelling with unitary transmittance) in a one-dimensional semiconductor heterostructure. Using the Kane model of a semiconductor, we show that this phenomenon can indeed exist, resembling all the interesting features of the corresponding phenomenon in classical electromagnetism in which metamaterials (substances with negative material parameters) are involved. We believe that these results can pave the way toward interesting applications in which metamaterial ideas are transferred into the semiconductor domain.

  • Název v anglickém jazyce

    Metamaterial-inspired Perfect Tunnelling in Semiconductor Heterostructures

  • Popis výsledku anglicky

    In this paper, we use a formal analogy of the electromagnetic wave equation and the Schrödinger equation in order to study the phenomenon of perfect tunnelling (tunnelling with unitary transmittance) in a one-dimensional semiconductor heterostructure. Using the Kane model of a semiconductor, we show that this phenomenon can indeed exist, resembling all the interesting features of the corresponding phenomenon in classical electromagnetism in which metamaterials (substances with negative material parameters) are involved. We believe that these results can pave the way toward interesting applications in which metamaterial ideas are transferred into the semiconductor domain.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA102%2F09%2F0314" target="_blank" >GA102/09/0314: Studium vlastností metamateriálů a mikrovlnných struktur s využitím šumové spektroskopie a magnetické rezonance</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2011

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    New Journal of Physics

  • ISSN

    1367-2630

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    13

  • Číslo periodika v rámci svazku

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    9

  • Strana od-do

    "nečíslov. (ArtNo=083011)"

  • Kód UT WoS článku

    000294672100002

  • EID výsledku v databázi Scopus