Metamaterial-inspired Perfect Tunnelling in Semiconductor Heterostructures
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F11%3A00181870" target="_blank" >RIV/68407700:21230/11:00181870 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://iopscience.iop.org/1367-2630/13/8/083011/" target="_blank" >http://iopscience.iop.org/1367-2630/13/8/083011/</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/13/8/083011" target="_blank" >10.1088/1367-2630/13/8/083011</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Metamaterial-inspired Perfect Tunnelling in Semiconductor Heterostructures
Popis výsledku v původním jazyce
In this paper, we use a formal analogy of the electromagnetic wave equation and the Schrödinger equation in order to study the phenomenon of perfect tunnelling (tunnelling with unitary transmittance) in a one-dimensional semiconductor heterostructure. Using the Kane model of a semiconductor, we show that this phenomenon can indeed exist, resembling all the interesting features of the corresponding phenomenon in classical electromagnetism in which metamaterials (substances with negative material parameters) are involved. We believe that these results can pave the way toward interesting applications in which metamaterial ideas are transferred into the semiconductor domain.
Název v anglickém jazyce
Metamaterial-inspired Perfect Tunnelling in Semiconductor Heterostructures
Popis výsledku anglicky
In this paper, we use a formal analogy of the electromagnetic wave equation and the Schrödinger equation in order to study the phenomenon of perfect tunnelling (tunnelling with unitary transmittance) in a one-dimensional semiconductor heterostructure. Using the Kane model of a semiconductor, we show that this phenomenon can indeed exist, resembling all the interesting features of the corresponding phenomenon in classical electromagnetism in which metamaterials (substances with negative material parameters) are involved. We believe that these results can pave the way toward interesting applications in which metamaterial ideas are transferred into the semiconductor domain.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F09%2F0314" target="_blank" >GA102/09/0314: Studium vlastností metamateriálů a mikrovlnných struktur s využitím šumové spektroskopie a magnetické rezonance</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
New Journal of Physics
ISSN
1367-2630
e-ISSN
—
Svazek periodika
13
Číslo periodika v rámci svazku
—
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
9
Strana od-do
"nečíslov. (ArtNo=083011)"
Kód UT WoS článku
000294672100002
EID výsledku v databázi Scopus
—