Determination of recombination centers in c-Si solar cells from dark I-V characteristics

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F11%3A00183712" target="_blank" >RIV/68407700:21230/11:00183712 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Determination of recombination centers in c-Si solar cells from dark I-V characteristics

Popis výsledku v původním jazyce

For photovoltaic cells efficiency is the quality of material key ingredient. Impurities in this material create recombination centers which cut down the effective carrier charge lifetime. The method of dark current measurement, which is described in paper, can be used for dominant impurity determination.

Název v anglickém jazyce

Determination of recombination centers in c-Si solar cells from dark I-V characteristics

Popis výsledku anglicky

For photovoltaic cells efficiency is the quality of material key ingredient. Impurities in this material create recombination centers which cut down the effective carrier charge lifetime. The method of dark current measurement, which is described in paper, can be used for dominant impurity determination.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JE - Nejaderná energetika, spotřeba a užití energie

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

34th International Spring Seminar on Electronics Technology

ISBN

978-1-4577-2111-3

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

172-175

Název nakladatele

Technical University of Košice

Místo vydání

Košice

Místo konání akce

Tatranská Lomnica

Datum konání akce

11. 5. 2011

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—