Point defects in 4H-SiC epilayers introduced by neutron irradiation

Kód výsledku v IS VaVaI

RIV/68407700:21230/14:00217508 - isvavai.cz

Výsledek na webu

http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2013.09.051

DOI - Digital Object Identifier

10.1016/j.nimb.2013.09.051

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Point defects in 4H-SiC epilayers introduced by neutron irradiation

Popis výsledku v původním jazyce

The paper deals with electronic properties of radiation damage produced in 4H-SiC by neutron irradiation and its effect on electrical parameters of Junction Barrier Schottky (JBS) diodes.

Název v anglickém jazyce

Point defects in 4H-SiC epilayers introduced by neutron irradiation

Popis výsledku anglicky

The paper deals with electronic properties of radiation damage produced in 4H-SiC by neutron irradiation and its effect on electrical parameters of Junction Barrier Schottky (JBS) diodes.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

GAP102/12/2108: Poruchy v širokopásových polovodičích a jejich význam pro výkonovou a vysokoteplotní elektroniku

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B, Beam Interactions with Materials and Atoms

ISSN

0168-583X

e-ISSN

—

Svazek periodika

327

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

124-127

Kód UT WoS článku

000337016500024

EID výsledku v databázi Scopus

—