Comparison of Waffle and standard gate pattern base on specific onresistance

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F14%3A00218506" target="_blank" >RIV/68407700:21230/14:00218506 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://www.imaps.cz/eds/" target="_blank" >http://www.imaps.cz/eds/</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Comparison of Waffle and standard gate pattern base on specific onresistance

Popis výsledku v původním jazyce

The main goal of this work is to compare the different Waffle MOS structures as function between main dimensions and channel resistance (specific on-resistance). Even if Waffle MOS structure is so general that it is independent on dedicated CMOS processin fact constrains coming from specific CMOS process design rules has main influence on final Waffle MOS shape and final required area. Comparison describing how dimensions of Waffle MOS have influence on channel resistance would be proposed. Due to non-conventional gate geometry of the Waffle MOS transistor compare to the fingers structure, the channel W/L ratio calculation is not trivial and conformal Schwarz-Christoffel Transformation mapping was used.

Název v anglickém jazyce

Comparison of Waffle and standard gate pattern base on specific onresistance

Popis výsledku anglicky

The main goal of this work is to compare the different Waffle MOS structures as function between main dimensions and channel resistance (specific on-resistance). Even if Waffle MOS structure is so general that it is independent on dedicated CMOS processin fact constrains coming from specific CMOS process design rules has main influence on final Waffle MOS shape and final required area. Comparison describing how dimensions of Waffle MOS have influence on channel resistance would be proposed. Due to non-conventional gate geometry of the Waffle MOS transistor compare to the fingers structure, the channel W/L ratio calculation is not trivial and conformal Schwarz-Christoffel Transformation mapping was used.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Electronic Devices and Systems IMAPS CS International Conference 2014

ISBN

978-80-214-4985-5

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

1226-1231

Název nakladatele

Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

25. 6. 2014

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—