Planar pixel sensors for the ATLAS upgrade: beam tests results

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F14%3A00311942" target="_blank" >RIV/68407700:21230/14:00311942 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21340/14:00311942

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Planar pixel sensors for the ATLAS upgrade: beam tests results

Popis výsledku v původním jazyce

The performance of planar silicon pixel sensors, in development for the ATLAS Insertable B-Layer and High Luminosity LHC (HL-LHC) upgrades, has been examined in a series of beam tests at the CERN SPS facilities since 2009. Salient results are reported on the key parameters, including the spatial resolution, the charge collection and the charge sharing between adjacent cells, for different bulk materials and sensor geometries. Measurements are presented for n+-in-n pixel sensors irradiated with a range of fluences and for p-type silicon sensors with various layouts from different vendors. All tested sensors were connected via bump-bonding to the ATLAS Pixel read-out chip. The tests reveal that both n-type and p-type planar sensors are able to collect significant charge even after the lifetime fluence expected at the HL-LHC.

Název v anglickém jazyce

Planar pixel sensors for the ATLAS upgrade: beam tests results

Popis výsledku anglicky

The performance of planar silicon pixel sensors, in development for the ATLAS Insertable B-Layer and High Luminosity LHC (HL-LHC) upgrades, has been examined in a series of beam tests at the CERN SPS facilities since 2009. Salient results are reported on the key parameters, including the spatial resolution, the charge collection and the charge sharing between adjacent cells, for different bulk materials and sensor geometries. Measurements are presented for n+-in-n pixel sensors irradiated with a range of fluences and for p-type silicon sensors with various layouts from different vendors. All tested sensors were connected via bump-bonding to the ATLAS Pixel read-out chip. The tests reveal that both n-type and p-type planar sensors are able to collect significant charge even after the lifetime fluence expected at the HL-LHC.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

<a href="/cs/project/TE01020069" target="_blank" >TE01020069: Progresívní detekční systémy ionizujícího záření</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Journal of Instrumentation

ISBN

—

ISSN

1748-0221

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

27

Strana od-do

1-27

Název nakladatele

IOP Publishing Ltd

Místo vydání

Bristol

Místo konání akce

Paris

Datum konání akce

23. 7. 2013

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—