Simulation and Characterization of Ion Irradiated 4H-SiC JBS Diode

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F15%3A00231115" target="_blank" >RIV/68407700:21230/15:00231115 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=7208587" target="_blank" >http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=7208587</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/MIXDES.2015.7208587" target="_blank" >10.1109/MIXDES.2015.7208587</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Simulation and Characterization of Ion Irradiated 4H-SiC JBS Diode
Popis výsledku v původním jazyce
The paper deals with simulation and characterization of 4H-SiC JBS diode irradiated by hydrogen and carbon ions.
Název v anglickém jazyce
Simulation and Characterization of Ion Irradiated 4H-SiC JBS Diode
Popis výsledku anglicky
The paper deals with simulation and characterization of 4H-SiC JBS diode irradiated by hydrogen and carbon ions.

Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
Proceedings of the 22th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems
ISBN
978-83-63578-06-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
567-570
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
Piscataway
Místo konání akce
Toruň
Datum konání akce
25. 6. 2015
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000364071600108

Popis výsledku