Influence of Radiation Defects on SiC Power Devices

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F15%3A00236005" target="_blank" >RIV/68407700:21230/15:00236005 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Influence of Radiation Defects on SiC Power Devices

Popis výsledku v původním jazyce

This study deals with the effect of irradiation on electrical characteristics of selected power devices based on silicon carbide.

Název v anglickém jazyce

Influence of Radiation Defects on SiC Power Devices

Popis výsledku anglicky

This study deals with the effect of irradiation on electrical characteristics of selected power devices based on silicon carbide.

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GAP102%2F12%2F2108" target="_blank" >GAP102/12/2108: Poruchy v širokopásových polovodičích a jejich význam pro výkonovou a vysokoteplotní elektroniku</a><br>

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů