Simulation and Characterization of 4H-SiC JBS Diodes Irradiated by Hydrogen and Carbon Ions

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F15%3A00236389" target="_blank" >RIV/68407700:21230/15:00236389 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://journal.dmcs.pl/vol.-6-no.-2" target="_blank" >http://journal.dmcs.pl/vol.-6-no.-2</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Simulation and Characterization of 4H-SiC JBS Diodes Irradiated by Hydrogen and Carbon Ions

Popis výsledku v původním jazyce

The paper deals with simulation and characterization of 4H-SiC JBS diodes irradiated by hydrogen and carbon Ions.

Název v anglickém jazyce

Simulation and Characterization of 4H-SiC JBS Diodes Irradiated by Hydrogen and Carbon Ions

Popis výsledku anglicky

The paper deals with simulation and characterization of 4H-SiC JBS diodes irradiated by hydrogen and carbon Ions.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

R - Projekt Ramcoveho programu EK

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

International Journal of Microelectronics and Computer Science

ISSN

2080-8755

e-ISSN

—

Svazek periodika

6

Číslo periodika v rámci svazku

2

Stát vydavatele periodika

PL - Polská republika

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

59-63

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—