*Simulace struktur výkonových součástek
Popis výsledku
*Simulace diod a tyristorů, tranzientní simulace, simulace defektů, simulace litografie, parametry sítě.
Klíčová slova
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
*Simulace struktur výkonových součástek
Popis výsledku v původním jazyce
*Simulace diod a tyristorů, tranzientní simulace, simulace defektů, simulace litografie, parametry sítě.
Název v anglickém jazyce
*Simulation of power devices
Popis výsledku anglicky
*Simulation of diodes and thyristors, transient simulation, simulation of defects, litography simulation, mesh parameters.
Klasifikace
Druh
Vsouhrn - Souhrnná výzkumná zpráva
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
N - Vyzkumna aktivita podporovana z neverejnych zdroju
Ostatní
Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Údaje specifické pro druh výsledku
Počet stran výsledku
55
Místo vydání
—
Název nakladatele resp. objednatele
ABB,s.r.o.
Verze
—
Základní informace
Druh výsledku
Vsouhrn - Souhrnná výzkumná zpráva
CEP
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Rok uplatnění
2015