Modeling and Simulation of Gate Misalignment Effect in MOSFETs

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F15%3A00364495" target="_blank" >RIV/68407700:21230/15:00364495 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://www.amazon.com/Modeling-Simulation-Mislaignment-Effect-MOSFETs/dp/3639708024" target="_blank" >https://www.amazon.com/Modeling-Simulation-Mislaignment-Effect-MOSFETs/dp/3639708024</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Modeling and Simulation of Gate Misalignment Effect in MOSFETs
Popis výsledku v původním jazyce
Physics-based analytical modelling, characterization and TCAD simulations of nanoscale multi-gate field effect transistors (FETs).
Název v anglickém jazyce
Modeling and Simulation of Gate Misalignment Effect in MOSFETs
Popis výsledku anglicky
Physics-based analytical modelling, characterization and TCAD simulations of nanoscale multi-gate field effect transistors (FETs).

Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Popis výsledku