Layering effects on low frequency modes in n-layered MX2 transition metal dichalcogenides
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F16%3A00238023" target="_blank" >RIV/68407700:21230/16:00238023 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1039/c5cp06788j" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1039/c5cp06788j</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1039/c5cp06788j" target="_blank" >10.1039/c5cp06788j</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Layering effects on low frequency modes in n-layered MX2 transition metal dichalcogenides
Popis výsledku v původním jazyce
n-Layered (n = 2, 3, 4) MX2 transition metal dichalcogenides (M = Mo, W; X = S, Se, Te) have been studied using DFT techniques. Long-range van der Waals forces have been modeled using the Grimme correction to capture interlayer interactions. We study the dynamic and electronic dependence of atomic displacement on the number of layers. We find that the displacement patterns mainly affected by a change in the layer number are low-frequency modes at Γ and A k-points; such modes are connected with the intrinsic tribological response. We disentangle electro–phonon coupling by combining orbital polarization, covalency and cophonicity analysis with phonon band calculations. We find that the frequency dependence on the number of layers and the atomic type has a non-trivial relation with the electronic charge distribution in the interlayer region. We show that the interlayer electronic density can be adjusted by appropriately tuning M–X cophonicity, acting as a knob to control vibrational frequencies, hence the intrinsic frictional response. The present results can be exploited to study the electro–phonon coupling effects in TMD-based materials beyond tribological applications.
Název v anglickém jazyce
Layering effects on low frequency modes in n-layered MX2 transition metal dichalcogenides
Popis výsledku anglicky
n-Layered (n = 2, 3, 4) MX2 transition metal dichalcogenides (M = Mo, W; X = S, Se, Te) have been studied using DFT techniques. Long-range van der Waals forces have been modeled using the Grimme correction to capture interlayer interactions. We study the dynamic and electronic dependence of atomic displacement on the number of layers. We find that the displacement patterns mainly affected by a change in the layer number are low-frequency modes at Γ and A k-points; such modes are connected with the intrinsic tribological response. We disentangle electro–phonon coupling by combining orbital polarization, covalency and cophonicity analysis with phonon band calculations. We find that the frequency dependence on the number of layers and the atomic type has a non-trivial relation with the electronic charge distribution in the interlayer region. We show that the interlayer electronic density can be adjusted by appropriately tuning M–X cophonicity, acting as a knob to control vibrational frequencies, hence the intrinsic frictional response. The present results can be exploited to study the electro–phonon coupling effects in TMD-based materials beyond tribological applications.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JK - Koroze a povrchové úpravy materiálu
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Physical Chemistry Chemical Physics
ISSN
1463-9076
e-ISSN
—
Svazek periodika
18
Číslo periodika v rámci svazku
6
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
4807-4813
Kód UT WoS článku
000369509100064
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-84957563015