Reducing Crosstalk in the Internal Structures of Integrated Circuits

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F16%3A00304043" target="_blank" >RIV/68407700:21230/16:00304043 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://www.elu.sav.sk/asdam/" target="_blank" >http://www.elu.sav.sk/asdam/</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Reducing Crosstalk in the Internal Structures of Integrated Circuits
Popis výsledku v původním jazyce
The advent of novel sub-micron technologies of IC fabrication led to such a decrease in lead-to-lead separation that it is not possible any more to neglect the influence of these leads on the reliability of the system operation. Both the small lead separation and the application of multilayer interconnecting systems cause parasitic electromagnetic couplings; in the case of a unipolar CMOS technology, the capacitive coupling is the dominant effect. It is impossible to measure direct the rapid variations voltage between leads inside the IC.
Název v anglickém jazyce
Reducing Crosstalk in the Internal Structures of Integrated Circuits
Popis výsledku anglicky
The advent of novel sub-micron technologies of IC fabrication led to such a decrease in lead-to-lead separation that it is not possible any more to neglect the influence of these leads on the reliability of the system operation. Both the small lead separation and the application of multilayer interconnecting systems cause parasitic electromagnetic couplings; in the case of a unipolar CMOS technology, the capacitive coupling is the dominant effect. It is impossible to measure direct the rapid variations voltage between leads inside the IC.

Projekt
<a href="/cs/project/VG20102015015" target="_blank" >VG20102015015: Miniaturní inteligentní analyzační systém koncentrací plynů a škodlivých látek, zejména toxických</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
ASDAM 2016 Conference Proceedings - The 11th International Conference on Advanced Semiconductor and Microsystems
ISBN
978-1-5090-3081-1
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
101-104
Název nakladatele
Slovenská akademie věd
Místo vydání
Bratislava
Místo konání akce
Smolenice
Datum konání akce
13. 11. 2016
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000392530900025

Podobné výsledky(10)