Piezotronika

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F16%3A00306240" target="_blank" >RIV/68407700:21230/16:00306240 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Piezotronika

Popis výsledku v původním jazyce

V článku je popsána piezotronická struktura jako převodník mechanického namáhání na piezoelektrický potenciál. Pozornost je věnována struktuře kov-polovodič, tj. MOS tranzistoru, kde je hradlo nahrazeno piezotronickým principem s materiálem ZnO, struktuře p-n přechodu se Schottkyho kontaktem, fototronickým strukturám jako je fotodetektorům, solárním článkům a LED. Na závěr je provedeno zhodnocení využití jevu v elektronice zítřka.

Název v anglickém jazyce

Piezotronics

Popis výsledku anglicky

The article describes the piezotronic structure as a converter of mechanical stress to the piezoelectric potential. Attention is paid to the structure of the metal-semiconductor, i.e. a MOS transistor, where the gate is replaced by piezotronic material ZnO structure p-n junction with the Schottky contact, fototronic structures such as photodetectors, solar cells and LEDs. In conclusion, an evaluation of the use of the phenomenon in the electronics of tomorrow.

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/VG20102015015" target="_blank" >VG20102015015: Miniaturní inteligentní analyzační systém koncentrací plynů a škodlivých látek, zejména toxických</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů