Radiation resistance of wide-bandgap semiconductor power transistiors
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F17%3A00311316" target="_blank" >RIV/68407700:21230/17:00311316 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssa.201600447/full" target="_blank" >http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssa.201600447/full</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201600447" target="_blank" >10.1002/pssa.201600447</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Radiation resistance of wide-bandgap semiconductor power transistiors
Popis výsledku v původním jazyce
The paper compares radiation resistance of SiC MOSFET and GaN HEMT to electron radiation.
Název v anglickém jazyce
Radiation resistance of wide-bandgap semiconductor power transistiors
Popis výsledku anglicky
The paper compares radiation resistance of SiC MOSFET and GaN HEMT to electron radiation.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GAP102%2F12%2F2108" target="_blank" >GAP102/12/2108: Poruchy v širokopásových polovodičích a jejich význam pro výkonovou a vysokoteplotní elektroniku</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2017
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
ISSN
1862-6300
e-ISSN
1862-6319
Svazek periodika
214
Číslo periodika v rámci svazku
4
Stát vydavatele periodika
DE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000402158300014
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85000454233