Operation of 4H-SiC high voltage normally-OFF V-JFET in radiation hard conditions: Simulations and experiment

Kód výsledku v IS VaVaI

RIV/68407700:21230/17:00311708 - isvavai.cz

Výsledek na webu

http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0026271417301464

DOI - Digital Object Identifier

10.1016/j.microrel.2017.05.015

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Operation of 4H-SiC high voltage normally-OFF V-JFET in radiation hard conditions: Simulations and experiment

Popis výsledku v původním jazyce

This paper deals with the operation of neutron irradiated 1700V SiC V-JFET in proposed DC-DC converters. The influence of irradiated V-JFET on the function of DC-DC converters are investigated. The measured results are compared with TCAD MixedMode simulation.

Název v anglickém jazyce

Operation of 4H-SiC high voltage normally-OFF V-JFET in radiation hard conditions: Simulations and experiment

Popis výsledku anglicky

This paper deals with the operation of neutron irradiated 1700V SiC V-JFET in proposed DC-DC converters. The influence of irradiated V-JFET on the function of DC-DC converters are investigated. The measured results are compared with TCAD MixedMode simulation.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2017

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Microelectronics Reliability

ISSN

0026-2714

e-ISSN

—

Svazek periodika

74

Číslo periodika v rámci svazku

July

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

9

Strana od-do

58-66

Kód UT WoS článku

000404308900009

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85020452602