Operation of 4H-SiC high voltage normally-OFF V-JFET in radiation hard conditions: Simulations and experiment

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F17%3A00311708" target="_blank" >RIV/68407700:21230/17:00311708 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0026271417301464" target="_blank" >http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0026271417301464</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2017.05.015" target="_blank" >10.1016/j.microrel.2017.05.015</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Operation of 4H-SiC high voltage normally-OFF V-JFET in radiation hard conditions: Simulations and experiment
Popis výsledku v původním jazyce
This paper deals with the operation of neutron irradiated 1700V SiC V-JFET in proposed DC-DC converters. The influence of irradiated V-JFET on the function of DC-DC converters are investigated. The measured results are compared with TCAD MixedMode simulation.
Název v anglickém jazyce
Operation of 4H-SiC high voltage normally-OFF V-JFET in radiation hard conditions: Simulations and experiment
Popis výsledku anglicky
This paper deals with the operation of neutron irradiated 1700V SiC V-JFET in proposed DC-DC converters. The influence of irradiated V-JFET on the function of DC-DC converters are investigated. The measured results are compared with TCAD MixedMode simulation.

Rok uplatnění
2017
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)