Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

New method for Si-wafer resistivity determination

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F21%3A00350991" target="_blank" >RIV/68407700:21230/21:00350991 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://technology.fel.cvut.cz/wp-content/uploads/2021/10/21.pdf" target="_blank" >https://technology.fel.cvut.cz/wp-content/uploads/2021/10/21.pdf</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.14311/ISPS.2021.021" target="_blank" >10.14311/ISPS.2021.021</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    New method for Si-wafer resistivity determination

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Wafer resistivity is one of the most important parameters in production of Power Semiconductor Devices (PSD). This parameter is mainly responsible for achieving required breakdown voltage and other electric parameters. Proposal article describes principles and details of newly designed resonant method and new equipment according patent [1] and compares it with commonly known 4point method. This new method is based on resonant measurement of capacity and following calculation. New method exhibits comparable accuracy with 4point method and brings additional advantages.

  • Název v anglickém jazyce

    New method for Si-wafer resistivity determination

  • Popis výsledku anglicky

    Wafer resistivity is one of the most important parameters in production of Power Semiconductor Devices (PSD). This parameter is mainly responsible for achieving required breakdown voltage and other electric parameters. Proposal article describes principles and details of newly designed resonant method and new equipment according patent [1] and compares it with commonly known 4point method. This new method is based on resonant measurement of capacity and following calculation. New method exhibits comparable accuracy with 4point method and brings additional advantages.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20201 - Electrical and electronic engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2021

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    ISPS'21 PROCEEDINGS

  • ISBN

    978-80-01-06874-8

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    135-140

  • Název nakladatele

    České vysoké učení technické v Praze

  • Místo vydání

    Praha

  • Místo konání akce

    Praha

  • Datum konání akce

    26. 8. 2021

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku