GaN Based Inverter Current-Collapse Loss Decrease Using 5-segment Modulation

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F22%3A00360708" target="_blank" >RIV/68407700:21230/22:00360708 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=9920074" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=9920074</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/AE54730.2022.9920074" target="_blank" >10.1109/AE54730.2022.9920074</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
GaN Based Inverter Current-Collapse Loss Decrease Using 5-segment Modulation
Popis výsledku v původním jazyce
The current collapse phenomenon increases conduction losses in high electron mobility transistors. This paper presents a simple option to decrease these losses in 3 phase hard-switching inverter driving permanent magnet synchronous motor utilizing 5-segment SVPWM modulation. Converter DC-link input power decrease by 2 % was observed compared to classic 7-segment modulation. This decrease results in significant decrease of transistor operating temperature.
Název v anglickém jazyce
GaN Based Inverter Current-Collapse Loss Decrease Using 5-segment Modulation
Popis výsledku anglicky
The current collapse phenomenon increases conduction losses in high electron mobility transistors. This paper presents a simple option to decrease these losses in 3 phase hard-switching inverter driving permanent magnet synchronous motor utilizing 5-segment SVPWM modulation. Converter DC-link input power decrease by 2 % was observed compared to classic 7-segment modulation. This decrease results in significant decrease of transistor operating temperature.

Rok uplatnění
2022
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)