Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Use of Thermally Stressed GaN Semiconductor Structures for Electricity Generation

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F22%3A00362317" target="_blank" >RIV/68407700:21230/22:00362317 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://doi.org/10.1109/ASDAM55965.2022.9966745" target="_blank" >https://doi.org/10.1109/ASDAM55965.2022.9966745</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1109/ASDAM55965.2022.9966745" target="_blank" >10.1109/ASDAM55965.2022.9966745</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Use of Thermally Stressed GaN Semiconductor Structures for Electricity Generation

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The work is focused on the analysis of the thermoelectric generator based on the thermoelectrical effect. The aim idea of the future is to further hybrid integration with semiconductor structures, event. used of nanotechnology. The work is focused on the use of heat of thermally stressed semiconductor structures with subsequent generation of electrical energy, such as GaN semiconductors designed for the automotive industry. The analysis is performed for 4 types of thermoelectric generators (TEG), obtaining energy and storing it in a supercapacitor. The aim was to verify the possibility of using thermoelectric effect, verifying properties using model, determine the essential characteristics, finding the optimum load, output voltage and output power achieved. The operation control of the thermoelectric generator was realized with the circuit LTC3108. We used thermoelectric batteries as a heat energy converter (TEC1- 12707, TEC1-071080, TEG-127020 a TEG-127009).

  • Název v anglickém jazyce

    Use of Thermally Stressed GaN Semiconductor Structures for Electricity Generation

  • Popis výsledku anglicky

    The work is focused on the analysis of the thermoelectric generator based on the thermoelectrical effect. The aim idea of the future is to further hybrid integration with semiconductor structures, event. used of nanotechnology. The work is focused on the use of heat of thermally stressed semiconductor structures with subsequent generation of electrical energy, such as GaN semiconductors designed for the automotive industry. The analysis is performed for 4 types of thermoelectric generators (TEG), obtaining energy and storing it in a supercapacitor. The aim was to verify the possibility of using thermoelectric effect, verifying properties using model, determine the essential characteristics, finding the optimum load, output voltage and output power achieved. The operation control of the thermoelectric generator was realized with the circuit LTC3108. We used thermoelectric batteries as a heat energy converter (TEC1- 12707, TEC1-071080, TEG-127020 a TEG-127009).

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20201 - Electrical and electronic engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2022

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    ASDAM 2022 - The 14th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems

  • ISBN

    978-1-6654-6977-7

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    61-64

  • Název nakladatele

    Slovak Academy of Sciences, Institute of Electrical Engineering

  • Místo vydání

    Bratislava

  • Místo konání akce

    Smolenice

  • Datum konání akce

    23. 10. 2022

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku