Silicon nanophotonic waveguides using rare earth ion diffusion technology

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F25%3A00386056" target="_blank" >RIV/68407700:21230/25:00386056 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://www.spiedigitallibrary.org/conference-proceedings-of-spie/13698.toc" target="_blank" >https://www.spiedigitallibrary.org/conference-proceedings-of-spie/13698.toc</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.3075110" target="_blank" >10.1117/12.3075110</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Silicon nanophotonic waveguides using rare earth ion diffusion technology

Popis výsledku v původním jazyce

The paper presents the design of a silicon-based nanophotonic active optical waveguide, in which rare earth ions are diffused into enhanced passive waveguides fabricated on a silicon-on-insulator (SOI) platform. Since erbium (Er)-doped waveguides can provide a higher gain coefficient in an Al₂O₃ waveguide cladding, a novel approach is proposed to further enhance the gain of an erbium-doped waveguide amplifier (EDWA). This method utilizes a subwavelength waveguide structure, where a film surrounds the segmented SOI waveguide. The proposed approach enables improved gain performance in widely used SOI waveguides by leveraging the advantages of an Er-doped Al₂O₃ layer.

Název v anglickém jazyce

Silicon nanophotonic waveguides using rare earth ion diffusion technology

Popis výsledku anglicky

The paper presents the design of a silicon-based nanophotonic active optical waveguide, in which rare earth ions are diffused into enhanced passive waveguides fabricated on a silicon-on-insulator (SOI) platform. Since erbium (Er)-doped waveguides can provide a higher gain coefficient in an Al₂O₃ waveguide cladding, a novel approach is proposed to further enhance the gain of an erbium-doped waveguide amplifier (EDWA). This method utilizes a subwavelength waveguide structure, where a film surrounds the segmented SOI waveguide. The proposed approach enables improved gain performance in widely used SOI waveguides by leveraging the advantages of an Er-doped Al₂O₃ layer.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

—

Návaznosti

N - Vyzkumna aktivita podporovana z neverejnych zdroju

Rok uplatnění

2025

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proc. SPIE 13698, Photonics, Devices, and Systems IX

ISBN

978-1-5106-9345-6

ISSN

0277-786X

e-ISSN

1996-756X

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

—

Název nakladatele

The International Society for Optical Engineering (SPIE)

Místo vydání

Bellingham WA

Místo konání akce

Prague

Datum konání akce

9. 6. 2025

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

001723559900031