Není k dispozici

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F07%3A04132697" target="_blank" >RIV/68407700:21340/07:04132697 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Single photon avalanche diode on Ge-Si, dreams, objectives and first results

Popis výsledku v původním jazyce

We are presenting the design, technology development and tuning of the Single Photon Avalanche Diode fabricated on the germanium - silicon epitaxial layer. The ultimate goal is to develop a solid state photon detector with picosecond timing resolution and stability and an increased spectral sensitivity beyond 1100 nanometres in comparison to detectors based on silicon. The technology development steps on the Ge-Si epitaxial layer are presented together with the first results of the preparation of the shallow junction and its parameters. The diffusion and annealing models have been tuned for GeSi epitaxial layer and implantation. The resulting concentration profiles have been verified by two independent diagnostics methods. The first avalanche diode structures on the basis of the Ge0.4Si0.6, epitaxial layer on Silicon have been prepared and tested.

Název v anglickém jazyce

Single photon avalanche diode on Ge-Si, dreams, objectives and first results

Popis výsledku anglicky

We are presenting the design, technology development and tuning of the Single Photon Avalanche Diode fabricated on the germanium - silicon epitaxial layer. The ultimate goal is to develop a solid state photon detector with picosecond timing resolution and stability and an increased spectral sensitivity beyond 1100 nanometres in comparison to detectors based on silicon. The technology development steps on the Ge-Si epitaxial layer are presented together with the first results of the preparation of the shallow junction and its parameters. The diffusion and annealing models have been tuned for GeSi epitaxial layer and implantation. The resulting concentration profiles have been verified by two independent diagnostics methods. The first avalanche diode structures on the basis of the Ge0.4Si0.6, epitaxial layer on Silicon have been prepared and tested.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2007

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Photon Counting Applications, Quantum Optics, and Quantum Cryptography

ISBN

978-0-8194-6711-9

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

03-04

Název nakladatele

SPIE

Místo vydání

Bellingham

Místo konání akce

Praha

Datum konání akce

16. 4. 2007

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—