Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Pulsed passively mode locked operation of diode pumped Nd : GdVO4 and Nd : YVO4 in a bounce geometry

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F08%3A00148706" target="_blank" >RIV/68407700:21340/08:00148706 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Pulsed passively mode locked operation of diode pumped Nd : GdVO4 and Nd : YVO4 in a bounce geometry

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The operation of pulsed diode pumped Nd:GdVO4 and Nd:YVO4 slab lasers in a bounce geometry in a free running and a passively mode-locked regime using a semiconductor saturable absorber was demonstrated. Higher efficiency of Nd:GdVO4 in both regimes was achieved. In the free running regime the optical to optical efficiency of 28.3 % was 14 obtained with Nd:YVO4 and 39.3% with Nd:GdVO4 Crystal in spatial mode close to TEM00. In the passively mode locked regime the Q-switched and mode locked single trainscontaining 5 pulses were generated for a pump energy of I I mJ from Nd:YVO4 while the pump energy for Nd:GdVO4 was only 5.5 mJ. The pulse duration was 48 ps and 65 ps respectively. Our results clearly demonstrate the advantage of using Nd:GdVO4 in a pulsed free running and also a passively mode locked diode pumped regime in a bounce geometry.

  • Název v anglickém jazyce

    Pulsed passively mode locked operation of diode pumped Nd : GdVO4 and Nd : YVO4 in a bounce geometry

  • Popis výsledku anglicky

    The operation of pulsed diode pumped Nd:GdVO4 and Nd:YVO4 slab lasers in a bounce geometry in a free running and a passively mode-locked regime using a semiconductor saturable absorber was demonstrated. Higher efficiency of Nd:GdVO4 in both regimes was achieved. In the free running regime the optical to optical efficiency of 28.3 % was 14 obtained with Nd:YVO4 and 39.3% with Nd:GdVO4 Crystal in spatial mode close to TEM00. In the passively mode locked regime the Q-switched and mode locked single trainscontaining 5 pulses were generated for a pump energy of I I mJ from Nd:YVO4 while the pump energy for Nd:GdVO4 was only 5.5 mJ. The pulse duration was 48 ps and 65 ps respectively. Our results clearly demonstrate the advantage of using Nd:GdVO4 in a pulsed free running and also a passively mode locked diode pumped regime in a bounce geometry.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BH - Optika, masery a lasery

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2008

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proceeding of SPIE 6871 - Solid State Lasers XVII: Technology and Devices

  • ISBN

    978-0-8194-7046-1

  • ISSN

    0277-786X

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

  • Název nakladatele

    SPIE

  • Místo vydání

    Bellingham

  • Místo konání akce

    San Jose

  • Datum konání akce

    19. 1. 2008

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku

    000255549800025