Analytical Model of Passively Q-switched Nd:YAG/V:YAG Microchip Laser

Kód výsledku v IS VaVaI

RIV/68407700:21340/09:00156980 - isvavai.cz

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Analytical Model of Passively Q-switched Nd:YAG/V:YAG Microchip Laser

Popis výsledku v původním jazyce

In our work we use basic rate equations for Q-switched laser and the possibility to express their solution for fast-acting Q-switch analytically with the help of LambertW function. The results were verified by their comparing with numerical rate equations solution and with experiential data, obtained with Nd:YAG/V:YAG microchip laser.

Název v anglickém jazyce

Analytical Model of Passively Q-switched Nd:YAG/V:YAG Microchip Laser

Popis výsledku anglicky

In our work we use basic rate equations for Q-switched laser and the possibility to express their solution for fast-acting Q-switch analytically with the help of LambertW function. The results were verified by their comparing with numerical rate equations solution and with experiential data, obtained with Nd:YAG/V:YAG microchip laser.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

GA102/08/1686: Mikročipové lasery generující záření 1.3 um a 1.4 um

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceeding of SPIE 7193 - Solid State Lasers XVIII: Technology and Devices

ISBN

978-0-8194-7439-1

ISSN

0277-786X

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

—

Název nakladatele

SPIE

Místo vydání

Bellingham

Místo konání akce

San Jose, (CA)

Datum konání akce

24. 1. 2009

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—