Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Avalanche dynamics in silicon avalanche single- and few-photon sensitive photodiode

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F09%3A00159065" target="_blank" >RIV/68407700:21340/09:00159065 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Avalanche dynamics in silicon avalanche single- and few-photon sensitive photodiode

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We are presenting the results of the study of the Single Photon Avalanche Diode (SPAD) avalanche pulse response rise-time and its dependence on several key parameters. We were investigating the unique properties of K14 type SPAD with its high delay uniformity of 200 ?m active area, the character of avalanche, and the correlation between the avalanche build-up time and the photon number involved in the avalanche trigger. The detection chip was operated with bias higher then breakdown voltage, ie. in Geiger mode. The detection chip was operated in a passive quenching circuit with active gating. This set-up enabled us to monitor both the diode reverse current using an electrometer and a fast digitizing oscilloscope. The experimental results are presented.

  • Název v anglickém jazyce

    Avalanche dynamics in silicon avalanche single- and few-photon sensitive photodiode

  • Popis výsledku anglicky

    We are presenting the results of the study of the Single Photon Avalanche Diode (SPAD) avalanche pulse response rise-time and its dependence on several key parameters. We were investigating the unique properties of K14 type SPAD with its high delay uniformity of 200 ?m active area, the character of avalanche, and the correlation between the avalanche build-up time and the photon number involved in the avalanche trigger. The detection chip was operated with bias higher then breakdown voltage, ie. in Geiger mode. The detection chip was operated in a passive quenching circuit with active gating. This set-up enabled us to monitor both the diode reverse current using an electrometer and a fast digitizing oscilloscope. The experimental results are presented.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JB - Senzory, čidla, měření a regulace

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2009

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Physics: Conference Series

  • ISSN

    1742-6588

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    193

  • Číslo periodika v rámci svazku

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    3

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus