Vrstvy Pd nanočástic na InP typu n připravené elektroforetickou depozicí pro detekci vodíku
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F09%3A00160244" target="_blank" >RIV/68407700:21340/09:00160244 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Vrstvy Pd nanočástic na InP typu n připravené elektroforetickou depozicí pro detekci vodíku
Popis výsledku v původním jazyce
Vrstvy palladiových nanočástic na polovodiči InP typu n tvoří Schottkyho diodu, která je vhodná pro detekci vodíku díky katalytické účinnosti paladia a díky vysokému poměru povrchu a objemu, který je charakteristický pro nanočásticové systémy. Aby tyto senzory fungovaly optimálně, je nezbytné připravit tyto struktury s vysokou Schottkyho bariérou. Za tímto účelem byla použita elektroforetická depozice Pd nanočástic z koloidního roztoku, při které vzniká přechod s vyšší bariérou v porovnání s ostatními metodami. Při této metodě dopadají částice na InP "pomalu" a nenaruší tak povrch polovodiče, čímž je redukována fixace Fermiho hladiny, která negativně ovlivňuje výšku Schottkyho bariéry.
Název v anglickém jazyce
Layers of Pd Nanoparticles on n-type InP Prepared by Electrophoretic Deposition for Hydrogen Sensing
Popis výsledku anglicky
Layers of Pd nanoparticles on n-type InP prepared by electrophoretic deposition were studied. Such systems form Schottky diodes which are convenient for hydrogen sensing because of catalytic activity of Pd and high surface-to-volume ratio of nanoparticleform of Pd. For preparation of such sensors it is necessary to prepare these systems with a high Schottky barrier height. Electrophoretic deposition of Pd nanoparticles from colloid solution was used. This method puts nanoparticles on InP with low impact energy which does not disturb the surface of InP. In this way the decreasing of the Schottky barrier induced by Fermi level pinning due to disorder-induced gap states (DIGS) is lower in comparison to other methods.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JB - Senzory, čidla, měření a regulace
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/KAN401220801" target="_blank" >KAN401220801: Příprava nanostruktur a nanomaterialů s cíleným řízením rozměrů</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Nanocon 2009 Conference Proceedings
ISBN
978-80-87294-13-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
—
Název nakladatele
TANGER, spol.s r.o
Místo vydání
Ostrava
Místo konání akce
Rožnov pod Radhoštěm
Datum konání akce
20. 10. 2009
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—