The Alpha-Particle Excited Scintillation Response of YAG:Ce thin Films Grown by Liquid Phase Epitaxy
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F09%3A00166864" target="_blank" >RIV/68407700:21340/09:00166864 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
The Alpha-Particle Excited Scintillation Response of YAG:Ce thin Films Grown by Liquid Phase Epitaxy
Popis výsledku v původním jazyce
Y3Al5O12 :Ce (YAG:Ce) thin films were grown from PbO-, BaO-, and MoO3-based fluxes using the liquid phase epitaxy (LPE) method. Photoelectron yield, its time dependence within 0.5-10 microseconds shaping time, and energy resolution of these samples weremeasured under alpha-particle excitation. For comparison a sample of the Czochralski grown bulk YAG: Ce single crystal was measured as well. Photoelectron yield values of samples grown from the BaO-based flux were found superior to other LPE films and comparable with that of the bulk single crystal. The same is valid also for the time dependence of photoelectron yield. Obtained results are discussed taking into account the influence of the flux and technology used. Additionally, alpha particle energy deposition in very thin films is modelled and discussed.
Název v anglickém jazyce
The Alpha-Particle Excited Scintillation Response of YAG:Ce thin Films Grown by Liquid Phase Epitaxy
Popis výsledku anglicky
Y3Al5O12 :Ce (YAG:Ce) thin films were grown from PbO-, BaO-, and MoO3-based fluxes using the liquid phase epitaxy (LPE) method. Photoelectron yield, its time dependence within 0.5-10 microseconds shaping time, and energy resolution of these samples weremeasured under alpha-particle excitation. For comparison a sample of the Czochralski grown bulk YAG: Ce single crystal was measured as well. Photoelectron yield values of samples grown from the BaO-based flux were found superior to other LPE films and comparable with that of the bulk single crystal. The same is valid also for the time dependence of photoelectron yield. Obtained results are discussed taking into account the influence of the flux and technology used. Additionally, alpha particle energy deposition in very thin films is modelled and discussed.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BG - Jaderná, atomová a molekulová fyzika, urychlovače
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Physica Status Soliti a
ISSN
1862-6300
e-ISSN
—
Svazek periodika
206
Číslo periodika v rámci svazku
A
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000268564200019
EID výsledku v databázi Scopus
—