Lu3Al5O12-Based Materials for High 2D-Resolution Scintillation Detectors
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F09%3A00166936" target="_blank" >RIV/68407700:21340/09:00166936 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Lu3Al5O12-Based Materials for High 2D-Resolution Scintillation Detectors
Popis výsledku v původním jazyce
About 20 micrometers thick Ce-doped Lu3Al5O12 thin films grown by Liquid Phase Epitaxy and thin plates of similar thickness prepared by mechanical cutting and polishing from Czochralski grown crystals are used in 2D-imaging experiment down to micrometer2D-resolution. Their scintillation response is also measured under alpha-particle excitation and performance of film and bulk material is mutually compared. Furthermore, scintillation and thermoluminescence characteristics of UV emitting Sc-doped LuAG grown by Czochralski method are presented since this system is a candidate material for UV emission-based 2D sensors with improved diffraction limit with respect to the presently used Ce-doped aluminum garnets.
Název v anglickém jazyce
Lu3Al5O12-Based Materials for High 2D-Resolution Scintillation Detectors
Popis výsledku anglicky
About 20 micrometers thick Ce-doped Lu3Al5O12 thin films grown by Liquid Phase Epitaxy and thin plates of similar thickness prepared by mechanical cutting and polishing from Czochralski grown crystals are used in 2D-imaging experiment down to micrometer2D-resolution. Their scintillation response is also measured under alpha-particle excitation and performance of film and bulk material is mutually compared. Furthermore, scintillation and thermoluminescence characteristics of UV emitting Sc-doped LuAG grown by Czochralski method are presented since this system is a candidate material for UV emission-based 2D sensors with improved diffraction limit with respect to the presently used Ce-doped aluminum garnets.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BG - Jaderná, atomová a molekulová fyzika, urychlovače
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of SPIE on CD-ROM, Defense, Security and Sensing
ISBN
978-0-8194-7621-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
3
Strana od-do
—
Název nakladatele
SPIE
Místo vydání
Bellingham (stát Washington)
Místo konání akce
Orlando
Datum konání akce
13. 4. 2009
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—