Pr:YAlO3 and Pr:LiYF4 Laser Emission Comparison under GaN Laser Diode Pumping
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F10%3A00168313" target="_blank" >RIV/68407700:21340/10:00168313 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Pr:YAlO3 and Pr:LiYF4 Laser Emission Comparison under GaN Laser Diode Pumping
Popis výsledku v původním jazyce
In this paper we report on comparison of laser results reached by Pr-doped oxide and fluoride crystals under GaN-laser diode pumping at room temperature. As oxide and fluoride crystal representatives, Pr:YAlO3 (Pr:YAP) and Pr:LiYF4 (Pr:YLF) crystals wereused. Pumping was accomplished by multimode GaN-laser diodes capable of providing output powers of up to 1W at wavelengths corresponding with Pr:YAP and Pr:YLF absorption peaks. For both samples, efficient stimulated emission in the red laser transitionhas been demonstrated, and laser results regarding the output power, threshold, and slope efficiency with respect to the absorbed power have been compared.
Název v anglickém jazyce
Pr:YAlO3 and Pr:LiYF4 Laser Emission Comparison under GaN Laser Diode Pumping
Popis výsledku anglicky
In this paper we report on comparison of laser results reached by Pr-doped oxide and fluoride crystals under GaN-laser diode pumping at room temperature. As oxide and fluoride crystal representatives, Pr:YAlO3 (Pr:YAP) and Pr:LiYF4 (Pr:YLF) crystals wereused. Pumping was accomplished by multimode GaN-laser diodes capable of providing output powers of up to 1W at wavelengths corresponding with Pr:YAP and Pr:YLF absorption peaks. For both samples, efficient stimulated emission in the red laser transitionhas been demonstrated, and laser results regarding the output power, threshold, and slope efficiency with respect to the absorbed power have been compared.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BH - Optika, masery a lasery
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of SPIE Vol.7578 - Solid State Lasers XIX: Technology and Devices
ISBN
978-0-8194-7974-7
ISSN
0277-786X
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
—
Název nakladatele
SPIE
Místo vydání
Washington
Místo konání akce
San Francisco
Datum konání akce
23. 1. 2010
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000284936100066