Phase-Field Approach to Crystal Growth
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F10%3A00175307" target="_blank" >RIV/68407700:21340/10:00175307 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Phase-Field Approach to Crystal Growth
Popis výsledku v původním jazyce
The phase-field method has appeared in the context of diffuse interfaces. It has been applied to the three major materials processes: solidification, solid-state phase transformation, and grain growth and coarsening. Very recently, a number of new phase-field models have been developed for modelling thin films and surfaces. The first part of this contribution is concerned with the phase-field model of a spiral crystal growth described by the Burton-Cabrera-Frank theory. Here, we investigate the influence of numerical parameters on the growth patterns. We then present computational studies related to the pattern formation and to the dependence on model parameters. The second part is concerned with the phase-field model of heteroepitaxial growth. Finally, we present our latest results.
Název v anglickém jazyce
Phase-Field Approach to Crystal Growth
Popis výsledku anglicky
The phase-field method has appeared in the context of diffuse interfaces. It has been applied to the three major materials processes: solidification, solid-state phase transformation, and grain growth and coarsening. Very recently, a number of new phase-field models have been developed for modelling thin films and surfaces. The first part of this contribution is concerned with the phase-field model of a spiral crystal growth described by the Burton-Cabrera-Frank theory. Here, we investigate the influence of numerical parameters on the growth patterns. We then present computational studies related to the pattern formation and to the dependence on model parameters. The second part is concerned with the phase-field model of heteroepitaxial growth. Finally, we present our latest results.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BA - Obecná matematika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Doktorandské dny 2010
ISBN
978-80-01-04644-9
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
9
Strana od-do
—
Název nakladatele
Česká technika - nakladatelství ČVUT
Místo vydání
Praha
Místo konání akce
Praha
Datum konání akce
19. 11. 2010
Typ akce podle státní příslušnosti
CST - Celostátní akce
Kód UT WoS článku
—