Pixel front-end development in 65 nm CMOS technology
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F14%3A00217369" target="_blank" >RIV/68407700:21340/14:00217369 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://iopscience.iop.org/1748-0221/9/01/C01003/pdf/1748-0221_9_01_C01003.pdf" target="_blank" >http://iopscience.iop.org/1748-0221/9/01/C01003/pdf/1748-0221_9_01_C01003.pdf</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/9/01/C01003" target="_blank" >10.1088/1748-0221/9/01/C01003</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Pixel front-end development in 65 nm CMOS technology
Popis výsledku v původním jazyce
uminosity upgrade of the LHC (HL-LHC) imposes severe constraints on the detector tracking systems in terms of radiation hardness and capability to cope with higher hit rates. One possible way of keeping track with increasing luminosity is the usage of more advanced technologies. Ultra deep sub-micron CMOS technologies allow a design of complex and high speed electronics with high integration density. In addition, these technologies are inherently radiation hard. We present a prototype of analog pixel front-end integrated circuit designed in 65 nm CMOS technology with applications oriented towards the ATLAS Pixel Detector upgrade. The aspects of ultra deep sub-micron design and performance of the analog pixel front-end circuits will be discussed.
Název v anglickém jazyce
Pixel front-end development in 65 nm CMOS technology
Popis výsledku anglicky
uminosity upgrade of the LHC (HL-LHC) imposes severe constraints on the detector tracking systems in terms of radiation hardness and capability to cope with higher hit rates. One possible way of keeping track with increasing luminosity is the usage of more advanced technologies. Ultra deep sub-micron CMOS technologies allow a design of complex and high speed electronics with high integration density. In addition, these technologies are inherently radiation hard. We present a prototype of analog pixel front-end integrated circuit designed in 65 nm CMOS technology with applications oriented towards the ATLAS Pixel Detector upgrade. The aspects of ultra deep sub-micron design and performance of the analog pixel front-end circuits will be discussed.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JB - Senzory, čidla, měření a regulace
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
JOURNAL OF INSTRUMENTATION
ISSN
1748-0221
e-ISSN
—
Svazek periodika
9
Číslo periodika v rámci svazku
Jan
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
1-7
Kód UT WoS článku
000332307000003
EID výsledku v databázi Scopus
—