Cryogenically Cooled Pr:YAlO3 Laser Operating at 747 nm, 662 nm, and 622 nm Wavelengths

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F14%3A00219609" target="_blank" >RIV/68407700:21340/14:00219609 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2049582" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1117/12.2049582</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2049582" target="_blank" >10.1117/12.2049582</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Cryogenically Cooled Pr:YAlO3 Laser Operating at 747 nm, 662 nm, and 622 nm Wavelengths

Popis výsledku v původním jazyce

Influence of temperature on Pr:YAlO3 laser behaviour in the near-infrared (747 nm), red (662 nm), orange (622 nm), and green (547 nm) spectral range is reported. To realize Pr:YAlO3 laser systems operating down to the cryogenic temperature, a microchip geometry formed by dielectric films directly deposited on the crystal facets has been proposed and employed. This geometry is particularly attractive due to its compact and rugged design. The best results were demonstrated for the 747 nm wavelength; morethan 300 mW of output power with the slope efficiency over 55 % has been extracted from the cryogenically cooled Pr:YAlO3 active material under 1-W InGaN diode pumping.

Název v anglickém jazyce

Cryogenically Cooled Pr:YAlO3 Laser Operating at 747 nm, 662 nm, and 622 nm Wavelengths

Popis výsledku anglicky

Influence of temperature on Pr:YAlO3 laser behaviour in the near-infrared (747 nm), red (662 nm), orange (622 nm), and green (547 nm) spectral range is reported. To realize Pr:YAlO3 laser systems operating down to the cryogenic temperature, a microchip geometry formed by dielectric films directly deposited on the crystal facets has been proposed and employed. This geometry is particularly attractive due to its compact and rugged design. The best results were demonstrated for the 747 nm wavelength; morethan 300 mW of output power with the slope efficiency over 55 % has been extracted from the cryogenically cooled Pr:YAlO3 active material under 1-W InGaN diode pumping.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GPP102%2F12%2FP505" target="_blank" >GPP102/12/P505: Diodově čerpané laserové systémy s aktivním iontem Praseodymu</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of SPIE vol. 9135: Laser Sources and Applications II

ISBN

978-1-62841-083-9

ISSN

0277-786X

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

"91351O-1"-"91351O-6"

Název nakladatele

SPIE

Místo vydání

Bellingham

Místo konání akce

Brusel, Belgie

Datum konání akce

14. 4. 2014

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000339372300045