Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Funkční vzorek stripového senzoru pro monitorování gama záření

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F16%3A00242961" target="_blank" >RIV/68407700:21340/16:00242961 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    čeština

  • Název v původním jazyce

    Funkční vzorek stripového senzoru pro monitorování gama záření

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Funkční vzorek křemíkového stripového senzoru na substrátu typu p s polovodičovými strukturami umožňující detekci gama záření v širokém dynamickém rozsahu dávkových příkonů (100 nGy/h až 10 Gy/hod). Tento funkční vzorek je možné použít pro konstrukci měřidel dávkového příkonu záření gama. Senzor disponuje 16 detekčními kanály ve dvou provedeních velikosti detekčního kanálu a má k dispozici jak AC, tak DC kontaktovací plošky. Senzor je navržen s ohledem na radiační odolnost, které bylo dosaženo použitím speciálních implantů na zvětšení meziimplantové rezistivity.

  • Název v anglickém jazyce

    Semiconductor strip sensor optimized for gamma radiation monitoring

  • Popis výsledku anglicky

    Functional sample of the strip silicon sensor manufactured on the p-type semiconductor substrate. Structures are allowing for the detection of gamma radiation in a wide dynamic range of dose rates (from 100 nGy / h to 10 Gy / hr). The specimen may be used for the construction of measurement instruments of the gamma dose rate. The sensor has 16 detector channels (in two detection channel sizes) and contact pads for both AC and DC are available. The sensor is designed with the radiation resistance achieved by using special implants which increase inter-implant resistivity.

Klasifikace

  • Druh

    G<sub>funk</sub> - Funkční vzorek

  • CEP obor

    JB - Senzory, čidla, měření a regulace

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/TE01020069" target="_blank" >TE01020069: Progresívní detekční systémy ionizujícího záření</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2016

  • Kód důvěrnosti údajů

    C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Interní identifikační kód produktu

    TE01020069-2016V001 (Si Gamma)

  • Číselná identifikace

    TE01020069-2016V001

  • Technické parametry

    Rozměr senzoru je 20.6x10.06 mm^2. Obsahuje 10 kanálů s plochou 7.95x+1.620 mm^2 a 6 kanálů s detekční plochou 7.95x0.14 mm^2. Senzor má tloušťku 525 mikronů a odpovídající napětí plného vyprázdnění je 160V. Radiační odolnosti vůči povrchovému poškozeni senzoru ionizujícím zářením bylo dosazeno konstrukci guard ringů a p-stopů. Temný proud < 5 nAcm^-2.<

  • Ekonomické parametry

    Funkční vzorek je jedním z výstupů projektu č.TE01020069 "Progresivní detekční systémy ionizujícího záření" (Centrum kompetence).

  • Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

  • IČO vlastníka výsledku

    68407700

  • Název vlastníka

    Fakulta jaderná a fyzikálně inženýrská

  • Stát vlastníka

    CZ - Česká republika

  • Druh možnosti využití

    A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

  • Požadavek na licenční poplatek

    A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

  • Adresa www stránky s výsledkem