50-μJ level, 20-picosecond difference-frequency generation at 4.6-9.2 μm in LiGaS2 and LiGaSe2 at Nd:YAG laser pumping and various crystalline Raman laser seeding

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F19%3A00367206" target="_blank" >RIV/68407700:21340/19:00367206 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1364/ASSL.2019.JW2A.18" target="_blank" >https://doi.org/10.1364/ASSL.2019.JW2A.18</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1364/ASSL.2019.JW2A.18" target="_blank" >10.1364/ASSL.2019.JW2A.18</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
50-μJ level, 20-picosecond difference-frequency generation at 4.6-9.2 μm in LiGaS2 and LiGaSe2 at Nd:YAG laser pumping and various crystalline Raman laser seeding
Popis výsledku v původním jazyce
50-μJ-level difference-frequency generation at discrete wavelengths of 4.6, 5.4, 7.5, and 9.2 μm in high-damage-threshold LiGaS2 and LiGaSe2 crystals under picosecond Nd:YAG laser pumping and various crystalline (CaCO3, BaWO4, diamond) Raman laser seeding is demonstrated.
Název v anglickém jazyce
50-μJ level, 20-picosecond difference-frequency generation at 4.6-9.2 μm in LiGaS2 and LiGaSe2 at Nd:YAG laser pumping and various crystalline Raman laser seeding
Popis výsledku anglicky
50-μJ-level difference-frequency generation at discrete wavelengths of 4.6, 5.4, 7.5, and 9.2 μm in high-damage-threshold LiGaS2 and LiGaSe2 crystals under picosecond Nd:YAG laser pumping and various crystalline (CaCO3, BaWO4, diamond) Raman laser seeding is demonstrated.

Projekt
—
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění
2019
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)