Composition-Engineered GSAG Garnet: Single-Crystal Host for Fast Scintillators

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F21%3A00356492" target="_blank" >RIV/68407700:21340/21:00356492 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68378271:_____/21:00549228

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1021/acs.cgd.1c01007" target="_blank" >https://doi.org/10.1021/acs.cgd.1c01007</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1021/acs.cgd.1c01007" target="_blank" >10.1021/acs.cgd.1c01007</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Composition-Engineered GSAG Garnet: Single-Crystal Host for Fast Scintillators

Popis výsledku v původním jazyce

The growth process and the optical, luminescence, and scintillation characteristics of the composition-engineered Gd2.88Sc1.89Al3.23O12 (GSAG) single crystal doped with 0.1% Pr3+ and 0.1, 0.2, and 0.3% Ce3+ grown by the mu-PD method are investigated. The GSAG:Ce single-crystal scintillator grown in Mo crucible is evaluated for the first time. The comparison of the scintillation properties of GSAG:Ce using Mo and Ir technologies is presented. The effect of annealing in air and Mg2+ codoping is also discussed. In the case of the Ce dopant, the favorable combination of ultralow afterglow, fast scintillation response, and high-density host together with a cheaper preparation technology makes these materials competitive and promising for a wide range of applications.

Název v anglickém jazyce

Composition-Engineered GSAG Garnet: Single-Crystal Host for Fast Scintillators

Popis výsledku anglicky

The growth process and the optical, luminescence, and scintillation characteristics of the composition-engineered Gd2.88Sc1.89Al3.23O12 (GSAG) single crystal doped with 0.1% Pr3+ and 0.1, 0.2, and 0.3% Ce3+ grown by the mu-PD method are investigated. The GSAG:Ce single-crystal scintillator grown in Mo crucible is evaluated for the first time. The comparison of the scintillation properties of GSAG:Ce using Mo and Ir technologies is presented. The effect of annealing in air and Mg2+ codoping is also discussed. In the case of the Ce dopant, the favorable combination of ultralow afterglow, fast scintillation response, and high-density host together with a cheaper preparation technology makes these materials competitive and promising for a wide range of applications.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2021

Kód důvěrnosti údajů

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Název periodika

Crystal Growth & Design

ISSN

1528-7483

e-ISSN

1528-7505

Svazek periodika

21

Číslo periodika v rámci svazku

12

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

11

Strana od-do

7139-7149

Kód UT WoS článku

000750893700051

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85119926136