Compact Er:GGAG laser for gain-switching and free-running laser operation at 2.83 μm

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F22%3A00361826" target="_blank" >RIV/68407700:21340/22:00361826 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Compact Er:GGAG laser for gain-switching and free-running laser operation at 2.83 μm
Popis výsledku v původním jazyce
Highly-doped Er:GGAG crystal was prepared to make compact laser system for short-pulse generation in gain-switching regime. Pulse duration 244 ns with repetition rate 2 kHz and peak power up to 7.3 W were reached.
Název v anglickém jazyce
Compact Er:GGAG laser for gain-switching and free-running laser operation at 2.83 μm
Popis výsledku anglicky
Highly-doped Er:GGAG crystal was prepared to make compact laser system for short-pulse generation in gain-switching regime. Pulse duration 244 ns with repetition rate 2 kHz and peak power up to 7.3 W were reached.

Projekt
<a href="/cs/project/EF16_019%2F0000778" target="_blank" >EF16_019/0000778: Centrum pokročilých aplikovaných přírodních věd</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění
2022
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)