Gain-switched Ti:Sapphire microchip laser investigation within 78-300 K temperature range

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F23%3A00367178" target="_blank" >RIV/68407700:21340/23:00367178 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1117/12.2646337" target="_blank" >https://doi.org/10.1117/12.2646337</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2646337" target="_blank" >10.1117/12.2646337</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Gain-switched Ti:Sapphire microchip laser investigation within 78-300 K temperature range

Popis výsledku v původním jazyce

Influence of temperature on gain-switched Ti:Sapphire laser based on a microchip resonator geometry is investigated. Laser performances are described within 78–300K temperature range. A frequency doubled radiation originating from the diode pumped Yb:YAG/Cr:YAG microchip crystal was used as a pump source, providing 2 ns pulses with a maximum energy of 113 μJ. The best output from gain-switched Ti:Sapphire laser was achieved at cryogenic temperature — 16 μJ of the output energy in 2 ns pulse at ~746 nm wavelength. The corresponding slope efficiency related to incident pump energy was 16 %. Taking into account the upper estimation of the input energy absorbed in the crystal, the slope efficiency with respect to absorbed pump energy was determined to be 27%.

Název v anglickém jazyce

Gain-switched Ti:Sapphire microchip laser investigation within 78-300 K temperature range

Popis výsledku anglicky

Influence of temperature on gain-switched Ti:Sapphire laser based on a microchip resonator geometry is investigated. Laser performances are described within 78–300K temperature range. A frequency doubled radiation originating from the diode pumped Yb:YAG/Cr:YAG microchip crystal was used as a pump source, providing 2 ns pulses with a maximum energy of 113 μJ. The best output from gain-switched Ti:Sapphire laser was achieved at cryogenic temperature — 16 μJ of the output energy in 2 ns pulse at ~746 nm wavelength. The corresponding slope efficiency related to incident pump energy was 16 %. Taking into account the upper estimation of the input energy absorbed in the crystal, the slope efficiency with respect to absorbed pump energy was determined to be 27%.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

<a href="/cs/project/EF16_019%2F0000778" target="_blank" >EF16_019/0000778: Centrum pokročilých aplikovaných přírodních věd</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2023

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proc. SPIE 12399, Solid State Lasers XXXII: Technology and Devices

ISBN

9781510659032

ISSN

0277-786X

e-ISSN

1996-756X

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

—

Název nakladatele

SPIE

Místo vydání

Bellingham (stát Washington)

Místo konání akce

San Francisco, California

Datum konání akce

28. 1. 2023

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—