Gain-Switched Ti:Sapphire Microchip Laser: Spectroscopic and Laser Characteristics within 5-300 K temperature range
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F23%3A00368770" target="_blank" >RIV/68407700:21340/23:00368770 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1109/CLEO/Europe-EQEC57999.2023.10231818" target="_blank" >https://doi.org/10.1109/CLEO/Europe-EQEC57999.2023.10231818</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/CLEO/Europe-EQEC57999.2023.10231818" target="_blank" >10.1109/CLEO/Europe-EQEC57999.2023.10231818</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Gain-Switched Ti:Sapphire Microchip Laser: Spectroscopic and Laser Characteristics within 5-300 K temperature range
Popis výsledku v původním jazyce
Temperature influence on spectroscopic as well as lasing properties of the gain switched Ti:Sapphire microchip laser are described in detail within 5-300 K crystal temperature range.
Název v anglickém jazyce
Gain-Switched Ti:Sapphire Microchip Laser: Spectroscopic and Laser Characteristics within 5-300 K temperature range
Popis výsledku anglicky
Temperature influence on spectroscopic as well as lasing properties of the gain switched Ti:Sapphire microchip laser are described in detail within 5-300 K crystal temperature range.
Klasifikace
Druh
O - Ostatní výsledky
CEP obor
—
OECD FORD obor
10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/EF16_019%2F0000778" target="_blank" >EF16_019/0000778: Centrum pokročilých aplikovaných přírodních věd</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2023
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů