Temperature dependence of the absorption coefficient of V:YAG saturable absorber

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F25%3A00386410" target="_blank" >RIV/68407700:21340/25:00386410 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1117/12.3072384" target="_blank" >https://doi.org/10.1117/12.3072384</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.3072384" target="_blank" >10.1117/12.3072384</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Temperature dependence of the absorption coefficient of V:YAG saturable absorber

Popis výsledku v původním jazyce

The V:YAG saturable absorber enables passive Q-switching in Nd-based lasers, particularly in the 1.0–1.4μm spectral range, making them valuable for applications in medicine and LIDAR systems. The absorption coefficient of V:YAG is a key parameter in Q-switching, affecting intracavity losses and pulse characteristics. However, its temperature dependence can influence laser performance. This study investigates the absorption coefficient of a disc-shaped V:YAG crystal (4mm thick, 10mm diameter) in the spectral region around 1.3μm at temperatures from 220 to 380K. Results show a decrease in absorption up to 1369nm, with the largest drop at 1281nm. Beyond this range, absorption increases with temperature, peaking at 1409nm. These findings enhance the understanding of V:YAG’s thermal behavior, aiding in the development of stable passively Q-switched lasers. The impact of temperature-induced V:YAG changes was analysed in microchip lasers operating at 1.34 and 1.44μm.

Název v anglickém jazyce

Temperature dependence of the absorption coefficient of V:YAG saturable absorber

Popis výsledku anglicky

The V:YAG saturable absorber enables passive Q-switching in Nd-based lasers, particularly in the 1.0–1.4μm spectral range, making them valuable for applications in medicine and LIDAR systems. The absorption coefficient of V:YAG is a key parameter in Q-switching, affecting intracavity losses and pulse characteristics. However, its temperature dependence can influence laser performance. This study investigates the absorption coefficient of a disc-shaped V:YAG crystal (4mm thick, 10mm diameter) in the spectral region around 1.3μm at temperatures from 220 to 380K. Results show a decrease in absorption up to 1369nm, with the largest drop at 1281nm. Beyond this range, absorption increases with temperature, peaking at 1409nm. These findings enhance the understanding of V:YAG’s thermal behavior, aiding in the development of stable passively Q-switched lasers. The impact of temperature-induced V:YAG changes was analysed in microchip lasers operating at 1.34 and 1.44μm.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

<a href="/cs/project/EH23_020%2F0008525" target="_blank" >EH23_020/0008525: Inovativní laserové a scintilační materiály pro moderní aplikace</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2025

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proc. SPIE 13698, Photonics, Devices, and Systems IX

ISBN

978-1-5106-9345-6

ISSN

0277-786X

e-ISSN

1996-756X

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

—

Název nakladatele

The International Society for Optical Engineering (SPIE)

Místo vydání

Bellingham WA

Místo konání akce

Prague

Datum konání akce

9. 6. 2025

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

001723559900005