Bulk-driven fully balanced second-generation current conveyor in 0.18 mu m CMOS

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21460%2F19%3A00340710" target="_blank" >RIV/68407700:21460/19:00340710 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1016/j.aeue.2019.03.012" target="_blank" >https://doi.org/10.1016/j.aeue.2019.03.012</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.aeue.2019.03.012" target="_blank" >10.1016/j.aeue.2019.03.012</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Bulk-driven fully balanced second-generation current conveyor in 0.18 mu m CMOS

Popis výsledku v původním jazyce

This paper presents an ultra-low-voltage and low-power fully balanced second-generation current conveyor (FBCCII) which is suitable for applications in ultra-low-voltage and low-power analog circuits. To confirm the attractive features of proposed FBCCII, the analog circuits such as fully digital programmable voltage gain amplifier, fully all-pass sections, fully band-pass filter and fully universal filter using the proposed FBCCII as active element have been proposed. The performances of the proposed FBCCII and its applications can be depicted through simulation results using SPICE simulations and 0.18 mu m n-well CMOS process from TSMC with a 0.5 V supply. (C) 2019 Elsevier GmbH. All rights reserved.

Název v anglickém jazyce

Bulk-driven fully balanced second-generation current conveyor in 0.18 mu m CMOS

Popis výsledku anglicky

This paper presents an ultra-low-voltage and low-power fully balanced second-generation current conveyor (FBCCII) which is suitable for applications in ultra-low-voltage and low-power analog circuits. To confirm the attractive features of proposed FBCCII, the analog circuits such as fully digital programmable voltage gain amplifier, fully all-pass sections, fully band-pass filter and fully universal filter using the proposed FBCCII as active element have been proposed. The performances of the proposed FBCCII and its applications can be depicted through simulation results using SPICE simulations and 0.18 mu m n-well CMOS process from TSMC with a 0.5 V supply. (C) 2019 Elsevier GmbH. All rights reserved.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2019

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

AEU-International Journal of Electronics and Communications

ISSN

1434-8411

e-ISSN

1618-0399

Svazek periodika

104

Číslo periodika v rámci svazku

2019

Stát vydavatele periodika

DE - Spolková republika Německo

Počet stran výsledku

10

Strana od-do

66-75

Kód UT WoS článku

000467195000007

EID výsledku v databázi Scopus

—