Edgeless planar semiconductor sensors for a Medipix3-based radiography detector

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21670%2F11%3A00204580" target="_blank" >RIV/68407700:21670/11:00204580 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://iopscience.iop.org/1748-0221/6/11/C11019" target="_blank" >http://iopscience.iop.org/1748-0221/6/11/C11019</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/6/11/C11019" target="_blank" >10.1088/1748-0221/6/11/C11019</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Edgeless planar semiconductor sensors for a Medipix3-based radiography detector

Popis výsledku v původním jazyce

We study the influence of active edges on the response of edge pixels by comparing simulations of the electrostatic-potential distribution to position-defined measurements on the energy deposition. A laser setup was used to measure the edge-pixel response function and shows the sensitive edge is only about 2 ?m from the physical edge. 3D reconstruction of tracks from high-energy pions and muons, produced at the SPS H6 test beam facility at CERN, enabled to relate the energy deposition at edge pixels tothe particle's interaction depth. A clear correlation is observed between the simulated electric-field distortion and the reconstructed interaction-depth dependent effective size.

Název v anglickém jazyce

Edgeless planar semiconductor sensors for a Medipix3-based radiography detector

Popis výsledku anglicky

We study the influence of active edges on the response of edge pixels by comparing simulations of the electrostatic-potential distribution to position-defined measurements on the energy deposition. A laser setup was used to measure the edge-pixel response function and shows the sensitive edge is only about 2 ?m from the physical edge. 3D reconstruction of tracks from high-energy pions and muons, produced at the SPS H6 test beam facility at CERN, enabled to relate the energy deposition at edge pixels tothe particle's interaction depth. A clear correlation is observed between the simulated electric-field distortion and the reconstructed interaction-depth dependent effective size.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JB - Senzory, čidla, měření a regulace

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Instrumentation

ISSN

1748-0221

e-ISSN

—

Svazek periodika

6

Číslo periodika v rámci svazku

11

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000298320400019

EID výsledku v databázi Scopus

—