Simulation of a silicon neutron detector coated with TiB2 absorber
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21670%2F12%3A00191447" target="_blank" >RIV/68407700:21670/12:00191447 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://iopscience.iop.org/1748-0221/7/01/C01096" target="_blank" >http://iopscience.iop.org/1748-0221/7/01/C01096</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/7/01/C01096" target="_blank" >10.1088/1748-0221/7/01/C01096</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Simulation of a silicon neutron detector coated with TiB2 absorber
Popis výsledku v původním jazyce
Neutron radiation cannot be directly detected in semiconductor detectors and therefore needs converter layers. Planar clean-room processing can be used in the manufacturing process of semiconductor detectors with metal layers to produce a cost-effectivedevice. We used the Geant4 Monte-Carlo toolkit to simulate the performance of a semiconductor neutron detector. A silicon photo-diode was coated with vapour deposited titanium, aluminium thin films and a titaniumdiboride (TiB2) neutron absorber layer. The neutron capture reaction 10B(n, alpha)7Li is taken advantage of to create charged particles that can be counted. Boron-10 has a natural abundance of about SI 19.8%. The emitted alpha particles are absorbed in the underlying silicon detector. We variedthe thickness of the converter layer and ran the simulation with a thermal neutron source in order to find the best efficiency of the TiB2 converter layer and optimize the clean room process.
Název v anglickém jazyce
Simulation of a silicon neutron detector coated with TiB2 absorber
Popis výsledku anglicky
Neutron radiation cannot be directly detected in semiconductor detectors and therefore needs converter layers. Planar clean-room processing can be used in the manufacturing process of semiconductor detectors with metal layers to produce a cost-effectivedevice. We used the Geant4 Monte-Carlo toolkit to simulate the performance of a semiconductor neutron detector. A silicon photo-diode was coated with vapour deposited titanium, aluminium thin films and a titaniumdiboride (TiB2) neutron absorber layer. The neutron capture reaction 10B(n, alpha)7Li is taken advantage of to create charged particles that can be counted. Boron-10 has a natural abundance of about SI 19.8%. The emitted alpha particles are absorbed in the underlying silicon detector. We variedthe thickness of the converter layer and ran the simulation with a thermal neutron source in order to find the best efficiency of the TiB2 converter layer and optimize the clean room process.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BF - Elementární částice a fyzika vysokých energií
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/LA08015" target="_blank" >LA08015: Spolupráce ČR s CERN</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Instrumentation
ISSN
1748-0221
e-ISSN
—
Svazek periodika
2012
Číslo periodika v rámci svazku
7
Stát vydavatele periodika
IT - Italská republika
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
1-7
Kód UT WoS článku
000303806200096
EID výsledku v databázi Scopus
—