Wetting of Si and SiO2 Thin Layer

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F70883521%3A28110%2F02%3A63500502" target="_blank" >RIV/70883521:28110/02:63500502 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Wetting of Si and SiO2 Thin Layer
Popis výsledku v původním jazyce
There was studied the process of water and selected organic liquids adhesion on the surface of epitaxial Si and pyrolytic SiO2 in the temperature range from 20 to 50 oC. The values of dispersion sd(s) and polar sp(s) components of the density of the surface Gibbs energy s(s) of Si and SiO2 layers were determined by the method based on measuring the angle of wetting j. It has been found that the polar component of interaction regulates the density of the surface Gibbs energy of the above substrates.
Název v anglickém jazyce
Wetting of Si and SiO2 Thin Layer
Popis výsledku anglicky
There was studied the process of water and selected organic liquids adhesion on the surface of epitaxial Si and pyrolytic SiO2 in the temperature range from 20 to 50 oC. The values of dispersion sd(s) and polar sp(s) components of the density of the surface Gibbs energy s(s) of Si and SiO2 layers were determined by the method based on measuring the angle of wetting j. It has been found that the polar component of interaction regulates the density of the surface Gibbs energy of the above substrates.

Rok uplatnění
2002
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
Silicon 2002, The 8th scientific and Business Conference
ISBN
—
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
46-50
Název nakladatele
TECON Scientific, s.r.o.
Místo vydání
Rožnov pod Radhoštěm
Místo konání akce
Rožnov pod Radhoštěm
Datum konání akce
5. 11. 2002
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—

Podobné výsledky(10)