Vliv plazmové modifikace na povrchové napětí CMC a SiO2 filmů.

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F70883521%3A28110%2F04%3A63502728" target="_blank" >RIV/70883521:28110/04:63502728 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
The effect of plasma modification on the surface tension of CMC and SiO2 films
Popis výsledku v původním jazyce
The objective of this study is surface tension determination of water-soluble cellulose derivative solid film (CMC) and SiO2 and their changes caused by various gas plasma treatments.
Název v anglickém jazyce
The effect of plasma modification on the surface tension of CMC and SiO2 films
Popis výsledku anglicky
The objective of this study is surface tension determination of water-soluble cellulose derivative solid film (CMC) and SiO2 and their changes caused by various gas plasma treatments.

Projekt
<a href="/cs/project/FD-K3%2F089" target="_blank" >FD-K3/089: Chemie obnovitelných zdrojů surovin - zpracování polysacharidů (zejména se zaměřením na deriváty celulózy).</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2004
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
Silicon 2004 - The Ninth Scientific and Business Conference
ISBN
—
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
12
Strana od-do
299-310
Název nakladatele
TECON Scientific, s.r.o.
Místo vydání
Rožnov pod Radhoštěm
Místo konání akce
Rožnov pod Radhoštěm
Datum konání akce
2. 11. 2004
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—

Popis výsledku