Bandgap engineering of ZnO nanoparticles for polymer active layers in leds
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F70883521%3A28110%2F18%3A63521373" target="_blank" >RIV/70883521:28110/18:63521373 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/70883521:28610/18:63521373
Výsledek na webu
<a href="http://cps.utb.cz/images/aktuality/Sborn%C3%ADk_PLASTKO_2018.pdf" target="_blank" >http://cps.utb.cz/images/aktuality/Sborn%C3%ADk_PLASTKO_2018.pdf</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Bandgap engineering of ZnO nanoparticles for polymer active layers in leds
Popis výsledku v původním jazyce
A study on the influence of the electronic structure of ZnO nanoparticles incorporated in the active polymer MEH-PPV layer in polymer LEDs on their luminance performance is presented. Embedding of Since ZnO is an n-type semiconductor, the nanoparticles made from this material extremely increase the electroluminescence intensity of polymer LEDs due to their contribution to the charge carrier balance in the active layer. On the other hand, addition of p-doped ZnO nanoparticles has less pronounced effect on the electroluminescence, but it reduces opening bias of the diode and decreases thus the power to reach required luminance of the device.
Název v anglickém jazyce
Bandgap engineering of ZnO nanoparticles for polymer active layers in leds
Popis výsledku anglicky
A study on the influence of the electronic structure of ZnO nanoparticles incorporated in the active polymer MEH-PPV layer in polymer LEDs on their luminance performance is presented. Embedding of Since ZnO is an n-type semiconductor, the nanoparticles made from this material extremely increase the electroluminescence intensity of polymer LEDs due to their contribution to the charge carrier balance in the active layer. On the other hand, addition of p-doped ZnO nanoparticles has less pronounced effect on the electroluminescence, but it reduces opening bias of the diode and decreases thus the power to reach required luminance of the device.
Klasifikace
Druh
O - Ostatní výsledky
CEP obor
—
OECD FORD obor
10404 - Polymer science
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/LO1504" target="_blank" >LO1504: Centrum polymerních systémů plus</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2018
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů